[회로실험] 트랜지스터의 기초
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작성일 23-01-23 19:23
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에미터와 콜렉터 사이에 베이스라고 부르는 아주 얇은 층으로 되어 있다. 1. 트랜지스터의 기본 동작원리를 이해하며
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3. ICBO를 측정(測定) 한다
npn형인 경우도 마찬가지인데 다수캐리어가 전자인 점이 다르다. 에미터전류가 증가하거나 감소할 때 베이스전류의 증가 또는 감소는 대단히 작다. 또한 에미터-베이스간의 순방향 바이어스를 증가시키면 에미터전류가 증가하고 콜렉터 전류도 증가한다.
설명
실험목적
5. transistor : 2SC1815, 2SA1270
2. 멀티미터
2. 트랜지스터의 단자를 식별하고
pnptransistor의 경우, 에미터와 베이스 간에는 주로 에미터의 다수 캐리어인 정공에 의해 전류가 형성된다 콜렉터가 없다고 가정하면 이 에미터-베이스간 전류는 보통의 다이오드의 경우와 같다. 그러나 TR은 온도에 민감한 단점이 잇다. 그러나 p형의 콜렉터가 Vcc의 단자에 연결되면 정공전류의 통로는 달라지게 된다 에미터에 의해 방출된 정공의 일부는 베이스의 자유전자와 결합하고 나머지 대부분(약 95%이상)의 정공은 매우 엷은 베이스층을 통과하여 콜렉터의 -전원 단자에 도달한다. 즉 에미터와 베이스간은 순방향바이어스를 가하고 베이스와 콜렉터간은 역방향 바이어스가 되도록 직류전원을 연결해야 한다. 따라서 콜렉터전류는 에미터-베이스 바이어스에 의해 조절된다
실험목적 1. 트랜지스터의 기본 동작원리를 이해하며 2. 트랜지스터의 단자를 식별하고 3. ICBO를 측정한다
4. 가변저항 : 2.5kΩ 1/2W
1. 직류가변전원 : 0-30V*2
다.
트랜지스터의 기초,트랜지스터
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그림 6-1은 TR의 구조와 기호이다. 보통 베이스 두께는 1mil(0.001inch)정도이다. 에미터는 전류를 형성하는 다수 캐리어의 원천이 되고 에미터-베이스간 전류는 대단히 적고 에미터-콜렉터간 전류는 크다.
3. 저항 : 100Ω 1/2W, 820Ω/10W
③ 이론(理論)
[회로실험] 트랜지스터의 기초
사용기기 및 부품
6. 스위치
transistor는 다이오드와는 달리 3단자 소자로서, 소형이고 가볍고 낮은 전압에서 동작하고 전력소모가 적은 특징이 잇다.
TR이 증폭기로서 사용되기 위해서는 그림 6-2와 같이 바이어스해야 한다.
