[전자] LED의 발광원리
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작성일 23-01-26 07:00
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가시광선 LED 성능을 판별하는 주된 평가요소는 바로 발광 효율(Luminous Efficiency)로서, 와트 당 Lumens(im/W)로 표시된다된다. 방사 강도는 단위 입체각당 방사속으로 나타내는데, 이는 발광체에서 방사되는 빛의 각도의 함수이지만 일반적으로 발광면과 수직인 주축 방향의 값으로 나타낸다.
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발광다이오드(Light Emitting Diode)는 기본적으로 반도체 PN 접합 다이오드이다. 또 전자의 이동속도가 높고 고온 동작이 가능하여 고속·고 전력 전자소자에도 널리 사용되고 있다 특히 Ⅲ족과 Ⅴ족의 여러 원소가 혼합함으로써 매우 다양한 물질 조성과 속성 의 반도체를 만들어 낼 수 있다 발광다이오드의 가방 기본적인 속성 으로 가시광선 영역의 발광다이오드에서는 광도[단위 : 칸델라(Candela, cd)]가 사용되며, 비가시광선 영역에서는 방사속[단위 : 와트(Waat)]로 표시된다된다. 방사속은 적분구나 반사경 등을 이용하여 전체 광 출력을 측정(measurement)하여 얻어진다. 방사속은 LED에서 모든 파장에 대해 방사되는 전 출력을 나타내며, 단위 시간당 방사되는 에너지로 표시된다된다. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체는 원소 주기율표 상에서 Ⅲ족과 Ⅴ족의 원소가 화합하여 만들어진 것으로 발광효율이 거의 100%에 가깝다는 advantage(장점) 이 있다 이는 실리콘보다 약 1만 배 정도 높은 효율로 물질개발 초기부터 LED가 다이오드 레이저 등 발광소자에 널리 응용되어 광통신 혁명의 주역이 되었다. 또한 LED의 발광 효율은 내부 양자 효율(Internal Quantum Efficiency), 적출 효율(Extraction Efficiency), 동작 전압(Operating Voltage) 등의 세 가지 요소에 의해 주로 결정된다된다.
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LED의 발광원리
LED의 발광원리
설명
LED, 발광원리, Light Emitting Diode
다. 실리콘 PN 접합이 전자정보 혁명의 주역이었다면 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체의 PN 접합은 빛 혁명의 주역이다. 광도는 단위 입체각당의 광속으로 표시되며, 휘도는 단위 면적당의 광도로서 표시되는데 이런 광도를 측정(measurement)하기 위해서는 광도계가 사용된다된다. 이는 사람의 눈의 시감도를 고려한 Wall-Plug 효율(광출력/입력 전기 파워양)에 해당한다.
